关于梅哥的SDRAM控制器代码的使用与仿真问题

萌萌的_X29uk

想问一下关于梅哥之前在群里上传的关于SDRAM控制器的代码
首先关于这个SDRAM的使用问题：使用50M时钟，已经在配置.h文件中选择了50M的配置代码块1、我给了SDRAM的写使能端间隔为200us的一个高使能信号（一个高脉冲），和对应的写数据
出现的问题：
仿真的问题：
1、我给了一系列写使能信号，但是从仿真上看只有初始化完成后的第一个写使能成功写入了数据，写完这个数据后，主状态机就一直停留在写状态不再改变
2、写入SDRAM调用了一个任务，如下
task write_data;
        begin
                case(wr_cnt)
                        wr_ACT_TIME:begin
                                Command <= C_ACT;
                                Sa <= raddr_r;             //激活行       
                                Ba <= baddr_r;
                        end

                        wr_WRITE_TIME:begin
                                Command <= C_WR;
                                Sa <= {1'b0,caddr_r[8:0]}; //激活列
                                Ba <= baddr_r;
                        end

                        wr_PRE_TIME:begin                               
                                Command <= C_PRE;          //预充电
                                Sa[10] <= 1'b1;
                        end

                        wr_END_TIME:begin
                                Command <= C_NOP;
                                FF <= 1'b1;
                        end

                        default:
                                Command <= C_NOP;
                endcase
        end       
        endtask

这里在时序运行完成后，FF信号是被置为1的，但是我在仿真中并没有发现FF被置为1，而除了FF以外的，任务里面的其他信号都正常运行（但是信号变化有两个时钟的延迟，网上说这个延迟在仿真里面是存在的，板级运行没有延迟）
而FF未被置1导致程序在这里被停滞（这是我怀疑的）
所以想请问各位大佬或者梅哥，这个问题是我使用的不对还是程序本身的问题呢？
感激不尽，谢谢

萌萌的_X29uk

不知道为什么无法上传图片

萌萌的_X29uk

事实证明是我使用的不对